Mini projet
proposé ; sur les techniques de conception des circuits intégrés planaire. (module ;technologie de
fabrication des circuits intégrés pour L2ELN)
Les procédés de fabrication des circuits intégrés
dans lestechnologies planaires se caractérisent par l'accumulation
d'une sériede traitements (oxydations, déposition des couches
minces, gravures,implantations, diffusions, traitements
thermiques, etc.) appliqués à la surface du substrat
semi-conducteur, de manière plus ou moins homogène. La reproductibilité de certains
paramètres contrôlés (la capacité par unité de surface, la résistivité des
couches minces, le facteur de gain des transistors MOS, etc.) en
différents points de la surface d'une ou différentes tranches, étant une
propriété importante des technologies des circuits intégrés, dépend de
l'homogénéité des procédés de fabrication. Cette reproductibilité
est exprimée en termes de tolérances acceptées des paramètres contrôlés
d'une technologie de circuits intégrés. Ces tolérances, parfois très
larges, conditionnent
la conception des circuits intégrés.
L'objectif de ce travail proposé est de définir
les différent méthodes de conception existantes pour les circuits
intégrés planaires.
La remise du compte rendu et au plus tard le
08/06/2021( par email: kaddeche@gmail.com et en fichier PDF)
Cordialement
- Teacher: Mourad KADDECHE
Ce premier module permet aux étudiants d’acquérir, d’approfondir et de développer de nouvelles connaissances et compétences au niveau de la logique combinatoire. Il s’agit principalement de définir les différentes fonctions logiques et d’être en mesure de résoudre des problèmes logiques, de les modifier et de les simplifier à l’aide des lois et théorèmes.
- Teacher: Samir IKNI
Ce cours est destiné aux étudiants de deuxième année licence électronique et pour ceux qui
veulent apprendre le principe de l’électronique fondamentale 2, il est une suite logique du
cours électronique fondamentale1.
Ce cours est décomposé suivant le CANEVAS en Cinq grands chapitres, le premier grand
chapitre introduit les notions de base à la compréhension du transistor à effet de champs, les
différents types sont ainsi présentés et détaillés allant d’un simple JFET au E MOSFET.
L’étude statique et dynamique sont faits pour chaque types, les différents modes
d’amplificateurs sont présentés et expliqués.
Le deuxième grand chapitre est consacré aux amplificateurs de puissance ou appelés
amplificateurs pour forts signaux. En premier lieu le schéma équivalent en dynamique d’un
transistor de puissance est présenté et comparé à celui d’un transistor pour faibles signaux.
L’amplificateur de puissance classe A est bien détaillé en statique et en alternatif, les
différents types d’amplificateur classe B et AB sont présentés sans et avec transformateurs. A
la dernière partie de ce chapitre est présenté l’amplificateur de puissance classe C.
Le troisième grand chapitre introduit la contre réaction avec ces quatre types, la plus utilisée
et la plus connue est la réaction de tension ou série parallèle qui a pour rôle d’augmenter la
résistance d’entrée ainsi que la bande passante et diminuer la résistance de sortie.
Le quatrième grand chapitre introduit le principe de base d’un amplificateur différentiel,
celui-ci est à la base de la conception des étages d’entrés des amplificateurs opérationnels,
AO, les tensions de mode différentiel et du mode commun sont bien détaillées.
Dans le cinquième et dernier chapitre est décrit le principe d’un oscillateur ou plus
exactement comment un quadripôle actif peut entrer en oscillation, les critères de stabilité en
fréquence et en amplitude sont donnés ainsi que les différents types d’oscillateurs.
En fin de chaque chapitre des exemples d’applications sont donnés avec solutions ainsi que
des exercices sans solutions pour que l’étudiant apprenne comment résoudre un problème en
électronique fondamental 2.
J’espère que ce modeste travail puisse aider nos étudiants à bien comprendre et assimiler le
principe de l’électronique fondamentale 2.
- Teacher: Mourad BENYAROU