Technologie de fabrication des circuits intégrés

Mini projet proposé ; sur les techniques de conception des circuits intégrés planaire. (module ;technologie de fabrication des circuits intégrés pour L2ELN)

Les procédés de fabrication des circuits intégrés dans lestechnologies planaires se caractérisent par l'accumulation d'une sériede traitements (oxydations, déposition des couches minces, gravures,implantations, diffusions, traitements thermiques, etc.) appliqués à la surface du substrat semi-conducteur, de manière plus ou moins homogène. La reproductibilité de certains paramètres contrôlés (la capacité par unité de surface, la résistivité des couches minces, le facteur de gain des transistors MOS, etc.) en différents points de la surface d'une ou différentes tranches, étant une propriété importante des technologies des circuits intégrés, dépend de l'homogénéité des procédés de fabrication. Cette reproductibilité est exprimée en termes de tolérances acceptées des paramètres contrôlés d'une technologie de circuits intégrés. Ces tolérances, parfois très larges, conditionnent
la conception des circuits intégrés.

L'objectif de ce travail proposé est de définir les différent méthodes de conception existantes pour les circuits intégrés planaires.

La remise du compte rendu et au plus tard le 08/06/2021( par email: kaddeche@gmail.com et en fichier PDF)

Cordialement